Nomor Produk Pabrikan:
BSB012N03LX3 G
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
BSB012N03LX3 G-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventaris:
12801744
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
BSB012N03LX3 G Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
16900 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Kasus
3-WDSON
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
BSB012N03LX3G
BSB012N03LX3 G-DG
SP000597846
BSB012N03LX3 GDKR-DG
BSB012N03LX3 GDKR
BSB012N03LX3GTR
BSB012N03LX3 GCT
BSB012N03LX3GXT
BSB012N03LX3GDKR
BSB012N03LX3GXUMA1
BSB012N03LX3 GTR-DG
BSB012N03LX3 GCT-DG
BSB012N03LX3GCT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
CMS45P03H8-HF
MOSFET P-CH 30V 9.6A/45A DFN5X6
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
